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SI4420BDY-T1-E3中文资料

SI4420BDY-T1-E3图片

SI4420BDY-T1-E3外观图

  • 大小:115.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, SOIC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:13.5A; Resistance, Rds On:0.0085ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI4420BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4420BDY-T1-E3TR

SI4420BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-03 12:16:23
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